755nm InP/GaAs0.65P0.35量子点激光器,其偏振依赖于I型和II型频段对齐的辐射
Optics express
|June 14, 2025
概括
在化/化 (InP/GaAsP) 量子点 (QD) 激光器中定制带对齐可实现变极化. 这项研究证明了对横向电 (TE) 和横向磁 (TM) 光辐射的控制.
科学领域:
- 半导体物理 半导体物理
- 光电学是指光电子产品.
- 材料科学是一种材料科学.
背景情况:
- 量子点 (QD) 激光器提供可调节的光电子特性.
- 控制半导体激光器中的极化对于先进的应用至关重要.
- 带对齐工程是修改QD激光特性的一个关键策略.
研究的目的:
- 在InP/GaAsP量子点激光器中证明可变极化.
- 研究不同波段对齐 (I型和II型) 对激光性能的影响.
- 为潜在的设备应用实现高极化度 (DOP).
主要方法:
- 制造具有工程带对齐的InP/GaAsP量子点结构.
- 根据不同的增长参数,I型和II型带对齐结构的增长.
- 脊波导激光器的特征,包括值电流密度和极化特性.
主要成果:
- 在QD生长过程中成功实现了I型和II型带对齐.
- 对I型 (下层) 和II型 (上层) 结构观察到明显的能量转移.
- 达到0.37 kA/cm2 (I型) 和0.40 kA/cm2 (II型) 的低值电流密度.
- 证明了变极化,可以发射横向电 (TE) 和横向磁 (TM) 光.
- 达到高极化度 (DOP) 高达80%.
结论:
- 带对齐量身定制是控制InP/GaAsP QD激光器极化的一个有效方法.
- 实现的偏振控制和高DOP表明适合用于偏振依赖的光电子设备.
- InP/GaAsP QDs为开发具有量身定制的极化特征的激光器提供了一个有前途的平台.
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