在HfO2膜中揭示铁电疲劳路径

Yufeng Xue1, Qi Hu1, Zhongfei Xu2

  • 1School of Physics, Beihang University, Beijing, 100191, China.

Small methods
|June 16, 2025
PubMed
概括

氧化 (HfO2) 铁电疲劳是由直接相位过渡引起的,而不是多个路径. 应用在平面上的应变可以抑制这种疲劳,提高内存设备的可靠性.