高阻抗线圈和屏蔽同轴电缆线圈的操作方式:一项比较研究

科学领域:

• 电磁学 电磁学 电磁学 电磁学
• 无线电频率工程 无线电频率工程
• 线圈设计 线圈设计

背景情况:

• 高阻抗线圈 (HIC) 和屏蔽同轴电缆线圈 (SCC) 具有相同的物理结构,但在匹配网络和输入阻抗方面有所不同.
• 了解它们的工作和解机制对于设计高度解的线圈元件至关重要.

研究的目的:

• 探索HIC和SCC的工作和脱机制.
• 建立高度解的线圈元件的设计原则.
• 为了比较HIC和SCC的脱特性,输入阻抗和操作模式.

主要方法:

• 使用CST微波工作室进行全波电磁模拟,模拟了线圈.
• 分析了单个和重叠的线圈元件 (50-500 MHz) 的输入阻抗和S参数.
• 当前分布和$B_1^{+}场地图被计算出来.$

主要成果:

• 在HIC中,电流分布均,而在SCC中,正弦电流和恒定电流的组合.
• SCCs (第二共振模式) 保持了稳定的输入阻抗和$B_1^{+}$ 配置文件,无论重叠.
• HICs显示阻抗分裂和$B_1^{+}$ 场退化,由于强烈的元素间合,越来越多的重叠.

结论:

• 与HIC相比,SCC表现出优越的脱特性,特别是在第二共振模式下运行时.
• 对于高度脱的元素的设计原则有利于SCC,因为它们的稳定性能具有不同的重叠.
• 在特定的应用中,SCC提供了有利的脱,使其成为传统线圈设计的首选选择.