在持续12-49 keV辐射下,对光子计数X射线成像探测器中欧姆型CdTe传感器响应的定量评估
Fabienne Orsini1, Yasuhiko Imai1, Takaki Hatsui1
1RIKEN SPring-8 Center, 1-1-1 Kouto, Sayo-cho, Sayo-gun, Hyogo 679-5148, Japan.
Journal of synchrotron radiation
|June 26, 2025
概括
光子计数 Telluride (CdTe) 的X射线探测器在长时间的X射线暴露下显示性能下降. 这项研究量化了显著的光子计数损失,影响了同步子应用.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 光子学 是一个光子学.
- 射线成像技术X射线成像技术
背景情况:
- 配有 telluride (CdTe) 传感器的光子计数探测器用于高能同步子实验.
- 对于CdTe传感器在高能X射线暴露下长期性能稳定性存在担忧.
研究的目的:
- 在持续的X射线照射下量化评估欧姆型CdTe传感器的性能稳定性.
- 为了研究剂量速率,光子能量和吸收剂量对传感器响应的影响.
- 为评估传感器稳定性建立可靠的测量协议.
主要方法:
- 利用专门的实验室设置进行可重复测量.
- 暴露CdTe传感器在持续X射线照射的受控条件下.
- 测量的光子计数和性能变化随着时间的推移在12-49 keV的能量范围内.
主要成果:
- 由于辐射,在CdTe传感器中观察到显著的,取决于时间的性能变化.
- 记录了超过11%的光子计数损失,即使在49 keV的5000光子/秒/像素的低流量下,也超过了11%.
- 在受控辐射下,在定义的能量范围内表征传感器行为.
结论:
- 在长时间暴露于X射线下,CdTe传感器表现出显著的退化,这影响了它们在同步子应用中的可靠性.
- 定量数据为优化使用12-49 keV范围内的CdTe探测器实验提供了关键的见解.
- 开发的测量协议作为比较替代高Z传感器材料稳定性的基准.
