在n-GaN半导体上对混合表面等离子-声子极子的近场成像

Vytautas Janonis1, Adrian Cernescu2, Pawel Prystawko3

  • 1Terahertz Photonics Laboratory, Center for Physical Sciences and Technology (FTMC), 10257 Vilnius, Lithuania.

PubMed
概括

近场成像揭示了n-GaN半导体中的混合表面等离子-声子极子子的长传播距离. 这项研究为先进的光学应用提供了对极子离散特征的见解.