左侧的VLPFC或右侧的DLPFC的跨体磁刺激促进了工作记忆中的遗忘
Mingming Qi1, Huiyan Sha1, Jingyan Jing1
1School of Psychology, https://ror.org/04c3cgg32Liaoning Normal University, Dalian, China.
Psychological medicine
|June 30, 2025
概括
使用左侧VLPFC或右侧DLPFC的非侵入性脑刺激可以增强对不需要的信息的积极遗忘. 这种神经刺激技术有效地调节了对认知任务的记忆控制.
科学领域:
- 认知神经科学 认知神经科学
- 神经成像是一种神经成像.
- 记忆研究 记忆研究
背景情况:
- 人类可以选择性地关注相关信息,并忽略不相关的刺激.
- 调查积极忘记与任务无关的信息的方法对于认知控制至关重要.
- 这项研究探讨了通过直接抑制和思想替代促进遗忘的非侵入性脑刺激.
研究的目的:
- 研究非侵入性脑刺激在促进忘记与任务无关的信息方面的有效性.
- 检查左腹侧前额叶皮层 (VLPFC) 和右背侧前额叶皮层 (DLPFC) 在主动遗忘中的作用.
- 在记忆调节中区分直接抑制和思想替代抑制机制.
主要方法:
- 参与者在需要记住相关信息并忘记无关信息的条件下从事记忆任务 (IR) 或反之 (IF).
- 高频重复性横磁性刺激 (rTMS) 应用于左侧VLPFC,右侧DLPFC或顶点 (对照).
- 共有96名参与者被分配到三个刺激组 (每组n=32).
主要成果:
- 左侧VLPFC刺激增强了对相关信息的记忆 (IR状态) 和对无关信息 (IF状态) 的记忆受损,表明积极忘记.
- 正确的DLPFC刺激还促进了对不相关信息的积极忘记 (IF条件),并促进了对相关信息的记忆 (IR条件).
- 与顶点控制条件相比,左侧VLPFC和右侧DLPFC刺激都对记忆控制产生了显著的影响.
结论:
- 刺激左侧的VLPFC和右侧的DLPFC可以有效地促进活跃的遗忘.
- 非侵入性脑刺激是调节记忆控制过程的可行方法.
- 这些发现对理解和潜在治疗与记忆相关的认知功能障碍有影响.
