Biasing of Metal-Semiconductor Junctions
The Quantum-Mechanical Model of an Atom
Metal-Semiconductor Junctions
Hybridization of Atomic Orbitals II
Molecular and Ionic Solids
MOSFET: Enhancement Mode
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Wing Ki Lo1, Yaowen Zhang1, Ho Yin Chow1
1Department of Physics, The Hong Kong University of Science and Technology, Hong Kong, China.
研究人员增强了钻石中的浅空隙 (NV) 中心,用于量子传感. 接口工程将NV连贯时间延长到超过1毫秒,提高了纳米级核磁共振的灵敏度.
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