使用VGF-VB技术的4英寸InP单晶晶圆的增长
Hua Wei1,2, Bin Yang1, Xiaoda Ye2
1School of Metallurgy and Energy Engineering, Kunming University of Science and Technology, Kunming 650500, China.
ACS omega
|July 7, 2025
概括
这项研究介绍了一种混合垂直梯度结-垂直布里德曼 (VGF-VB) 方法,用于生长大直径化物 (InP) 单晶,以提高 doping统一性. 通过VGF-VB技术,成功地产生了适合先进应用的高质量的InP晶体.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 晶体的成长 晶体的成长
- 半导体技术 半导体技术
背景情况:
- 高质量的化物 (InP) 单晶对于先进的电子和光电子设备至关重要.
- 现有的垂直梯度结 (VGF) 和垂直布里奇曼 (VB) 方法在生产大直径 (>4英寸) 时面临挑战. 具有均兴奋剂的InP晶体.
研究的目的:
- 开发和验证一种联合VGF-VB晶体生长技术,用于生产直径大,均的InP单晶.
- 解决传统VGF和VB方法在大型InP晶体中实现受控的兴奋剂度方面的局限性.
主要方法:
- 采用混合VGF-VB方法,在真空密封的石英管中使用热溶性化 (PBN) .
- 该过程涉及使用VGF方法进行初始晶体播种和化,然后使用VB方法进行圆柱形生长.
- 增长是在名义上的4.5英寸中进行的. VGF-VB InP单晶炉可以产生4英寸. 圆形. 圆形. 圆形. 这是.
主要成果:
- 在VGF-VB技术成功地生产了名义上的4.5英寸. 在InP单晶.单晶.
- 由此产生的晶体在尾端表现出低的最大蚀刻坑密度 (EPD),≤300cm-2.
- 电气参数的统一性得到了显著改善,达到±6%.
结论:
- 结合VGF-VB晶体生长技术是生产高质量,大直径InP单晶的可靠和有效方法.
- 这种混合方法克服了与传统方法相关的兴奋剂统一性挑战.
- 结果证实了VGF-VB技术的适用性,用于制造InP晶体,用于苛刻的半导体应用.
