基于ZrNiSn的高性能半Heusler热电器,具有通过反应性烧结实现的等级架构
Xin Ai1,2, Yu Wu3, Haiyan Lyu4
1Leibniz Institute for Solid State and Materials Research (IFW) Dresden e.V., Dresden, Germany.
Nature communications
|July 14, 2025
概括
基于ZrNiSn的半豪斯勒化合物的等级结构显著降低了导热率. 这种新的合成方法提高了高温应用的热电性能.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 固态物理 固态物理
- 纳米技术 纳米技术
背景情况:
- 半海斯勒化合物是用于高温应用的优秀热电材料.
- 它们的效率通常受到高晶格导热率的限制.
- 在不损害电气性能的情况下制定降低导热率的策略至关重要.
研究的目的:
- 开发一种基于ZrNiSn的具有层次架构的半Heusler化合物的新型合成方法.
- 研究多尺度微观结构特征对热电性质的影响.
- 为了优化合成,增强语子散射和高热电性能.
主要方法:
- 使用短时间的机械合金来制造不平衡前体.
- 使用反应性烧结来精确控制相位组成和微观结构.
- 描述多尺度架构,包括缺陷,粒度边界和纳米沉.
主要成果:
- 实现了具有间隙缺陷,粒度边界,纳米沉和孔隙的等级架构.
- 证明了显著降低格子导热率 (1.9 W m-1 K-1).
- 获得了高功率系数 (50μW cm−1 K−2) 和1.33的无维值值 (zT) 在873 K.
结论:
- 这种新的合成方法有效地为强烈的声子散射创造了等级结构.
- 与传统合成材料相比,优化的基于ZrNiSn的化合物表现出优越的热电性能.
- 这种具有成本效益和可扩展的方法对推进热电材料具有前途.
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