4H-SiC半导体材料的微纳米级激光地下垂直修饰:机制,过程和挑战
Hongmei Li1,2, Hongwei Wang1, Yuxin Li1
1Ningbo Institute of Materials Technology and Engineering, Chinese Academy of Sciences, Ningbo, 315201, China.
Discover nano
|July 16, 2025
概括
本综述探讨了用于碳化 (SiC) 晶片的超短脉冲激光处理,解决了控制修改层深度的挑战,以实现高效,低损坏的制造. 它提出了提高SiC晶圆加工质量和效率的策略.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 半导体加工 半导体加工
- 激光物理 激光物理
背景情况:
- 碳化 (SiC) 是用于先进电子和光学设备的关键宽带差半导体.
- 传统的SiC晶片加工方法效率低下,导致大量的材料损失.
- 超短脉冲激光处理为SiC晶圆制造提供了一个有前途的低损坏替代方案.
研究的目的:
- 系统地审查激光-SiC相互作用机制和修改过程.
- 为了应对激光处理中精确控制修改层深度的挑战.
- 提出提高SiC晶片加工质量和效率的策略.
主要方法:
- 在SiC中分析激光材料相互作用机制.
- 研究影响修改层深度的非线性效应.
- 审查脱离过程:冷裂解,化学,超声波和多激光剥离.
主要成果:
- 激光处理中的非线性效应使修改层深度的精确控制变得复杂.
- 激光脉冲持续时间的变化显著影响了修改机制.
- 涉及脉冲控制和参数优化的多策略解决方案可以增强处理.
结论:
- 精确控制微纳米尺度修改层对于最小化SiC加工中的材料损失至关重要.
- 优化激光脉冲持续时间和工艺参数是改善SiC晶圆制造的关键.
- 对于SiC晶圆加工,已确定了先进的脱离技术和未来研究方向.
