聚纤维氧作为EUV光电阻的理想配方
Ruihao Zhou1, Muqing Cao1, Yizheng Tan1,2
1Key Lab of Organic Optoelectronics & Molecular Engineering, Department of Chemistry, Tsinghua University, Beijing 100084, China.
Science advances
|July 16, 2025
概括
研究人员开发了一种用于极端紫外线 (EUV) 石版的新型聚氨光电阻. 这种材料在半导体制造中实现了高性能,使18纳米的线宽能够减少缺陷.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 纳米技术 纳米技术
- 半导体制造业 半导体制造业
背景情况:
- 极端紫外线 (EUV) 石版对于先进的半导体制造至关重要,它可以实现更小的特征尺寸.
- 目前的EUV光电阻在平衡高EUV吸收,能量利用和随机缺陷抑制方面面临着挑战.
- 在单个分子中实现这些综合特征仍然是一个未解决的挑战.
研究的目的:
- 开发一种新型的光电阻材料,以满足EUV石版的严格要求.
- 创建一个具有高EUV吸收率和能源利用率的均系统,用于缺陷抑制.
- 建立一个设计下一代EUV光电阻的框架.
主要方法:
- 使用通过Te─O键聚合的有机化物单体聚合聚合聚合聚合的合成.
- 对正色彩光刻的主链裂变机制的研究.
- 开发的光电阻在高分辨率图案设计中的性能评估.
主要成果:
- 聚氧光电阻表现出高性能正色彩光刻.
- 在13.1mJ/cm2的剂量下,获得了全面的18nm线宽.
- 呈现了1.97nm的线边粗度,表明出色的随机缺陷抑制.
结论:
- 开发的聚氧光电阻成功地集成了高EUV吸收和能源利用.
- 这种材料提供了一个可行的解决方案,用于EUV光刻技术中先进的半导体制造挑战.
- 该战略为下一代EUV光电阻的设计提供了一个新的框架.
