MOSFET: Enhancement Mode
Mechanically-gated Ion Channels
Switching of BJT
MOSFET
Electro-mechanical Systems
Characteristics of MOSFET
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Donggeun Lee1, Seung-Woo Jeon1, Sang-Wook Han1,2,3
1Center for Quantum Technology, Korea Institute of Science and Technology (KIST), Seoul 02792, Republic of Korea.
我们开发了一个纳米机械旋转,用于精确的电子传输控制. 它独特的敲击反应证明了纳米电机系统的线性运行,为先进的纳米电子设备铺平了道路.
科学领域:
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主要成果:
结论: