用于测量3D芯片集成的透过通道中的残留氧化物的反光度法
Optics express
|July 30, 2025
概括
本研究介绍了一种快速,非破坏性的光学方法,用于测量3D芯片结构. 该技术通过深度和晶圆厚度准确量化透过,帮助半导体制造.
科学领域:
- 半导体制造业 半导体制造业
- 光学计量学 在光学计量学
- 三维芯片架构的3D芯片架构
背景情况:
- 在3D芯片制造中,确保层间接触至关重要.
- 像扫描电子显微镜这样的当前方法具有破坏性和耗时性.
- 准确的计量学对于微电子的过程控制至关重要.
研究的目的:
- 开发一种快速,非破坏性的光学技术,用于3D芯片制造中的计量学.
- 通过 (TSV) 深度,晶片厚度和残留氧化物厚度同时测量透过.
- 为当前的破坏性计量方法提供可行的替代方案.
主要方法:
- 使用福里埃峰值转移分析 (FPSA).
- 在近红外 (1200 nm-2200 nm) 光谱区域使用反射度测量.
- 将FPSA应用于用于MEMS和CMOS的商业TSV集成过程中的样品.
主要成果:
- 在FPSA测量和参考扫描电子显微镜数据之间显示出良好的一致性.
- 证实了FPSA在半导体制造中的线上和现场计量技术的可行性.
- 展示了同时测量TSV深度,晶圆厚度和残留氧化物的潜力.
结论:
- FPSA是一种可行的非破坏性光学技术,用于3D芯片计量.
- 该方法为工艺控制提供了至关重要的准确和同时测量.
- 在先进的半导体制造业中,FPSA具有实时监控的巨大潜力.


