The Hall Effect
Types of Semiconductors
Theory of Metallic Conduction
Biasing of Metal-Semiconductor Junctions
Fermi Level
Joule-Thomson Effect
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Jixun K Ding1,2, Emily Z Zhang1,3,4, Wen O Wang1,2
1SLAC National Accelerator Laboratory, Stanford Institute for Materials and Energy Sciences, 2575 Sand Hill Road, Menlo Park, California 94025, USA.
一个简单的Mott绝缘体不能维持热霍尔效应. 然而,模拟显示,哈伯德模型具有磁场的模拟,需要破碎的时间逆转和粒子孔对称性来实现这种导热性.
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