介面键诱导原子移除机制的异质性的
Diankai Zhang1, Jie Qin2, Yang Wang1,3,2
1School of Materials Science and Engineering, Southwest Jiaotong University, Chengdu 610031, P. R. China.
在晶片的化学机械抛光 (CMP) 过程中,去除不均的表面是制造业的一个挑战. 这项研究揭示了原子尺度的异型去除机制,确定了表面密度和水友性作为改善半导体制造的关键因素.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 表面科学是一门学科.
- 半导体制造业 半导体制造业
背景情况:
- 化学机械抛光 (CMP) 对于半导体制造中的多晶晶片的平整至关重要.
- 在CMP过程中去除不均的表面会导致微型突起,这是一个鲜为人知的问题.
- 了解原子级移除机制对于过程优化至关重要.
研究的目的:
- 为了阐明在CMP过程中异构原子去除的机制.
- 调查粘接形成和断裂在表面去除中的作用.
- 为了解释多晶晶片上微型突起的形成.
主要方法:
- 利用分子动力学模拟来建模晶体的原子去除过程.
- 分析了不同晶面的原子移除行为.
- 模拟无形结构以表示多晶中的粒度边界.
主要成果:
- 晶体面之间的原子去除差异是由于不同的表面密度和水友性,影响界面键形成.
- 无形表面表现出类似的键形成,但与晶体面相比,原子去除率更高.
- 无形表面的更低的去除能量屏障解释了它们的加速原子去除.
结论:
- 这项研究揭示了导致多晶CMP.不均去除的原子尺度机制.
- 像原子密度和水友性这样的表面性质决定了异性离子去除.
- 结果为推进CMP技术和减少半导体制造缺陷提供了洞察力.
更多相关视频
08:02Rendering SiO2/Si Surfaces Omniphobic by Carving Gas-Entrapping Microtextures Comprising Reentrant and Doubly Reentrant Cavities or Pillars
Published on: February 11, 2020
09:15Light Enhanced Hydrofluoric Acid Passivation: A Sensitive Technique for Detecting Bulk Silicon Defects
Published on: January 4, 2016
相关概念视频
Lewis Structures of Molecular Compounds and Polyatomic Ions
Molecular Shape and Polarity
Hybridization of Atomic Orbitals I
Intermolecular Forces
Thermal Sigmatropic Reactions: Overview
Sigmatropic shifts are classified based on an order term [i, j ], where i and j indicate the number of atoms across which each end of the σ bond migrates. Below are examples of a [3,3] sigmatropic shift in...
Valence Bond Theory
