用于高NA EUV光刻的Pt-W合金吸收器:可调节的光学和蚀刻性能

科学领域:

• 材料科学 材料科学 材料科学
• 纳米技术 纳米技术
• 半导体制造业 半导体制造业

背景情况:

• 极端紫外线光刻 (EUV) 对于大规模生产纳米级集成电路至关重要,先进的高数字孔径系统针对3nm节点.
• 在EUV面罩中使用的传统基吸收器在解决下一代半导体技术所需的微型图案方面存在局限性.

研究的目的:

• 研究- (Pt-W) 合金作为EUV口罩的新型吸收材料,解决目前基于的选项的局限性.
• 为了评估Pt-W合金的成像性能,可制造性和可蚀刻性,与传统的EUV面具吸收器相比.

主要方法:

• 探索- (Pt-W) 合金作为EUV面罩吸收材料的替代材料.
• 将 (Pt) 与 (W) 合金,以提高使用基气体的蚀刻性.
• 使用模拟来评估成像性能,掩盖3D效果,暴露剂量要求和Pt-W合金的蚀刻特性.

主要成果:

• 与纯相比,Pt-W合金表现出优越的光学性能和增强的蚀刻性,而不会影响EUV吸收或相位转移能力.
• 模拟表明,Pt-W合金提高了成像性能,减少了面具3D效果,需要比纯Pt更低的暴露剂量.
• Pt-W合金中的含量增加导致了更高的蚀刻速率和更垂直的侧墙配置文件,从而最大限度地减少了蚀刻残留物.

结论:

• -合金为下一代EUV口罩吸收器提供了可行的解决方案,提供了更好的成像和制造优势.
• 开发的 Pt-W 合金克服了纯的蚀刻性挑战,同时保留了它对高级光刻的有益光学特性.