由半导体碳纳米管膜中的范霍夫奇点引起的多个ZT峰值

Kan Ueji1,2, Shojiro Asatori1, Yota Ichinose1

  • 1Department of Physics, Graduate School of Science, Tokyo Metropolitan University, 1-1 minami-Osawa, Hachioji, Tokyo 192-0397, Japan.

ACS nano
|August 11, 2025
PubMed
概括

热电转换效率 (ZT) 在半导体单壁碳纳米管中显示出双峰结构,这是由于量子束效应造成的. 这一发现挑战了优化热电材料中ZT值的传统策略.