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Updated: Jul 26, 2026

15:47
Nanofabrication of Gate-defined GaAs/AlGaAs Lateral Quantum Dots
Published on: November 1, 2013
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在量子设备制造的α-Ta薄膜中逆转与相关的损失
D P Lozano1, Massimo Mongillo1, Bart Raes1
1Imec, Kapeldreef 75, Leuven, B-3001, Belgium.
Advanced science (Weinheim, Baden-Wurttemberg, Germany)
|August 11, 2025
概括
吸收降解了由α- (α-Ta) 制成的超导量子位. 化消除了,恢复了量子比特的性能,并使强大的量子设备制造成为可能.
科学领域:
- 量子计算是一种量子计算.
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 超导电性 超导电性 超导电性
背景情况:
- 阿尔法- (α-Ta) 是超导量子比特的一个有前途的材料,因为它的微波损耗很低.
- 在制造过程中吸收气可以增加微波损失,降低量子比特的性能.
研究的目的:
- 为了研究吸收气对α-Ta薄膜的影响.
- 为了确定减轻基于α-Ta的量子器件中由引起的降解的方法.
主要方法:
- 暴露α-Ta薄膜在10体积%的酸下.
- 在千克尔文温度下制造和表征高Q共振器.
- 在500°C的超高真空 (UHV) 中进行回火实验.
主要成果:
- 在暴露于酸3分钟或更长时间的α-Ta膜中观察到的吸收.
- 这种吸收导致共振器中功率独立的欧姆损失增加.
- 在HV中在500°C下1小时火,完全去除了气,并将内在质量因子恢复到400万.
结论:
- 在α-Ta超导量子位中发现了一种新的诱导损失机制.
- 证明了一种可行的回火工艺来逆转降解.
- 这些发现支持基于α-Ta和的量子器件的稳健制造.

