聚焦光双折度用于三维观察碳化晶片中的位移
Masashi Kato1, Hisaya Sato1, Tomohisa Kato2
1Nagoya Institute of Technology, Gokiso, Showa, Nagoya 466-8555, Japan.
The Review of scientific instruments
|August 11, 2025
概括
一种新的聚焦光双折射方法允许在碳化 (SiC) 晶片中进行非破坏性的3D观察. 该技术有助于了解这些缺陷如何影响设备性能和产量.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 半导体物理 半导体物理
- 光学是什么?光学是什么?光学是什么?
背景情况:
- 碳化 (SiC) 晶片中的位移会对设备性能和生产产量产生负面影响.
- 现有的SiC脱位的表征方法往往具有破坏性或需要复杂的X射线设施.
研究的目的:
- 引入一种新的,非破坏性的方法,用于三维观察SiC中的位移.
- 证明聚焦光双折射对于检测SiC中的各种位移类型和结构的能力.
主要方法:
- 利用聚焦光双折射与连续波激光和客观镜头用于3D位移观测.
- 将该方法应用于独立的SiC皮层和10微米厚的皮层样本.
主要成果:
- 成功观察到的应力场与SiC皮层中脱位周围的对比.
- 检测到与转换结构 (基底平面到线程边缘) 的位移,以及从上层到基板的线程位移.
- 证明适用于SiC基板和皮层的非破坏性观察.
结论:
- 聚焦光双折射是一种有效的,非破坏性的技术,用于在SiC中进行3D位移观测.
- 这种方法有助于更好地了解位对SiC设备性能的影响.
- 该技术比现有方法具有优势,包括适用于各种SiC结构.
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