设计和模拟一个高收益带宽产品InGaAs/AlGaAsSb雪崩光二极管与p型混合吸收层的p型混合吸收层
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Updated: Sep 11, 2025
10:31
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Published on: November 16, 2018
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Applied optics
|August 12, 2025
概括
这项研究引入了一种用于雪崩光二极管 (APD) 的新型混合吸收层设计,可显著提高高速光通信的带宽和增强带宽产品. 优化的APD设计克服了传统的权衡,提高了设备的性能.
科学领域:
- 光电学是指光电子产品.
- 半导体设备 半导体设备
背景情况:
- 光通信系统需要高速和高灵敏的雪崩光二极管 (APD).
- 传统APD的带宽和响应能力之间存在着根本的权衡.
研究的目的:
- 设计和模拟具有混合吸收层的APD,以克服带宽-响应性的权衡.
- 为了提高APD的性能,用于先进的光通信应用.
主要方法:
- 模拟了一种APD,其中包含了高化,高斯化和无意化混合吸收层.
- 分析了高斯化区域对电场和电子漂移速度的影响.
- 研究了电荷层兴奋剂度对不同增益级别的APD带宽的影响.
主要成果:
- 最大的3dB带宽从20.1GHz增加到28.1GHz.
- 在获取20时,3dB带宽从18.1提高到22.4GHz,获取带宽产物增加了86GHz.
- 由于InGaAs的负差分流动性,高斯斯化区域增强了电子漂移速度.
结论:
- 拟议的混合吸收层设计有效地增强了APD带宽和增强带宽产品.
- 在充电层中优化兴奋剂度对于在不同增益水平上定制APD性能至关重要.
- 这项研究为设计下一代高速APD提供了有价值的见解.
