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Updated: Sep 11, 2025

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20 mJ, 1 ps Yb:YAG Thin-disk Regenerative Amplifier
Published on: July 12, 2017
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概括
这项研究证明了GaAs,n-Ge和ZnSe中等红外激光脉冲的超快半导体切换. 这些发现表明,在高功率激光系统中,光子装置的潜在应用.
科学领域:
- 光电学是指光电子产品.
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 激光物理 激光物理
背景情况:
- 半导体光学切换对于先进的光子设备至关重要.
- 控制中红外 (中红外) 激光脉冲需要新的切换机制.
研究的目的:
- 为了描述半导体交换的子皮秒中型红外激光脉冲.
- 研究光子设备中超快半导体切换的潜力.
主要方法:
- 利用了30 femtosecond (fs) 脉冲与光子能量在带间隙上方.
- 研究了在氧化 (GaAs),n型 (n-Ge) 和色化 (ZnSe) 中的切换.
- 在多个中红外波长 (10-14μm) 中测量反射率和载波寿命.
主要成果:
- 观测到半导体切换子皮秒级的中红外激光脉冲.
- 半导体等离子体反射率的实验时间域动态与扩散-重组理论一致.
- 包括反射率和载体寿命在内的特征光学特性.
结论:
- 超快的半导体切换对于中红外波长是可行的.
- 观察到的动态支持等离子体反射性的理论模型.
- 对于高功率中红外激光系统和光子设备存在潜在的应用.

