面罩优化技术,以实现最大有效的石化CPW

科学领域:

• 集成电路制造 集成电路制造
• 计算式 lithography 的使用方法.
• 半导体设备制造 半导体设备制造

背景情况:

• 在先进的集成电路制造中,实现大型工艺窗口 (PW) 对产量至关重要.
• 缩小关键尺寸需要芯片级共同过程窗口 (CPW) 资格,通常需要长时间的源面罩协同优化 (SMO) 代.
• 当前的方法面临效率低下,因为在CPW不足时,重复SMO再优化.

研究的目的:

• 介绍一种新的口罩优化 (MO) 方法,以最大限度地提高每次代中的有效CPW.
• 为了减少芯片级CPW资格所需的耗时SMO代的数量.
• 为了提高先进节点集成电路制造的整体产品产量.

主要方法:

• 通过SMO获得优化的光源.
• 在随后的CPW友好的MO步骤中使用优化的光源.
• 优化个人口罩模式,然后对暴露剂量,定模式和成本函数进行校正,以获得最大有效的CPW.

主要成果:

• 与传统的MO方法相比,拟议的MO技术在CPW中实现了8.79%的改进.
• 该方法自动化了MO过程更新,在每个代中产生最大的CPW.
• 显著缩短了SMO-MO全程序的周转时间.

结论:

• 新的MO方法有效地最大化了集成电路制造中的共同工艺窗口 (CPW).
• 这种方法大大降低了源面罩协同优化 (SMO) 所需的计算开销和时间.
• 该技术为提高产品产量和在先进的半导体制造中更快的设计周期提供了一条途径.