在AlGaN深紫外线发光二极管中的性能提升,具有n-AlGaN接触层的步骤化

科学领域:

• 材料科学 材料科学 材料科学
• 光电学是指光电子产品.
• 半导体物理 半导体物理

背景情况:

• 高效的深紫外发光二极管 (DUV-LED) 需要在n-AlGaN接触层中优化应变.
• 传统的强度合的n-AlGaN层可以导致应变积累和缺陷,损害设备性能.

研究的目的:

• 提出并研究DUV-LED中的n-AlGaN接触层的步骤兴奋剂策略.
• 为了减轻应变积累,提高表轴质量和电气性能.

主要方法:

• 在n-AlGaN接触中实施一个步骤兴奋剂配置文件,其中有一个轻度兴奋剂的底层和一个强度兴奋剂的上层.
• 对DUV-LED与拟议的阶段性合层相比传统结构的比较分析.

主要成果:

• 与传统的强度兴奋剂层相比,步骤兴奋剂战略有效地减轻了应变积累和缺陷生成.
• 在量子井区域观察到更均的电子度分布和辐射重组率.
• 使用阶段合层的DUV-LED显示光输出功率高出40%.

结论:

• 在n-AlGaN接触层中的步骤合工程是提高DUV-LED性能的一种有希望的方法.
• 这一战略为克服与压力和DUV-LED制造中的缺陷相关的局限性提供了一条途径.
• 优化兴奋剂概况对于提高光电子设备的效率至关重要.