基于AlGaN的深紫外线激光棒的同时边缘和表面刺激辐射

科学领域:

• 材料科学 材料科学 材料科学
• 光电学是指光电子产品.
• 半导体物理 半导体物理

背景情况:

• 基于AlGaN的深紫外线 (DUV) 激光器对于各种应用至关重要.
• 了解刺激发射机制是提高DUV激光器性能的关键.

研究的目的:

• 为了研究基于AlGaN的DUV激光棒中的同时边缘刺激发射 (ESE) 和表面刺激发射 (SSE).
• 探索n-覆盖层生长温度对ESE和SSE特征的影响.
• 为了建立SSE和ESE之间的相关性,以优化DUV激光性能.

主要方法:

• 基于AlGaN的DUV激光棒的光学送.
• 测量ESE和SSE属性,包括值和线宽.
• 在n-AlGaN覆盖层中分析表面形态和缺陷度 (C_N相关).

主要成果:

• 同时的ESE和SSE在高光学动力密度的DUV激光棒中实现.
• SSE属性独立于腔体长度,表明垂直光学共振.
• 增加n-覆盖层的生长温度显著降低了SSE发病值和线宽.
• 通过优化生长温度,ESE激光值和线宽也减少了.
• 改进的激光性能与更光滑的表面形态和较低的C_N相关缺陷相关.

结论:

• SSE源于皮层内的垂直光学共振.
• 优化n-覆盖层生长温度通过减少内部损失来提高DUV激光器的性能.
• SSE和ESE之间的正相关性提供了一种有效的方法来评估和改进使用未经加工晶片的SSE使用DUV激光性能.