电激光振荡的C波段InAs量子点垂直腔表面发射激光器在InP(311) B基板上的电激光振荡

科学领域:

• 光电学是指光电子产品.
• 半导体激光器半导体激光器
• 纳米技术纳米技术

背景情况:

• 垂直腔表面发射激光器 (VCSEL) 对于光通信至关重要.
• 化 (InAs) 量子点提供独特的光电子特性.
• 在特定的基质方向上制造,如InP{311) B,存在挑战.

研究的目的:

• 为了展示电的C频段InAs量子点垂直腔表面发射激光器 (QD VCSELs).
• 调查这些新型QD VCSEL的性能特征.
• 探索它们作为光通信系统光源的潜力.

主要方法:

• 在InP(311) B基板上使用InAs量子点.
• 在制造过程中应用应变补偿技术.
• 进行室温脉冲操作测量.

主要成果:

• 在C频段的QD VCSEL中实现了电激光振荡.
• 观察到的值电流为13mA,25mA时的输出功率为0.17mW.
• 在InP[-233]方向沿线展示了线性极化辐射.

结论:

• 成功演示了第一个电的C频段InAs QD VCSELs.
• 这些设备在光通信应用中显示出有前途的性能.
• 线性极化特征是特定收发器设计的关键特征.