概括
这项研究引入了一种新的方法,用于防止与光子学集成的III-V激光器的缺陷. 这一突破为先进的激光应用提供了高效,无表面缺陷的化 (InP) 膜.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 光电学是指光电子产品.
- 纳米技术纳米技术
背景情况:
- 选择性侧面表皮是将III-V激光集成到在绝缘体 (SOI) 平台上的有希望的技术.
- 一个主要的挑战是线程位移 (TD) 向上传播到III-V膜表面,从而损害激光性能.
- 现有方法在SOI集成的III-V中与缺陷控制作斗争.
研究的目的:
- 开发一种新的方法,通过控制位移传播,将III-V激光集成到SOI上.
- 在220nm SOI平台上创建高质量的酸 (InP) 膜.
- 制造和表征在SOI上单体集成的次波长InP纳米盘激光器.
主要方法:
- 设计了一种新的增长策略,将线程位移 (TD) 向下转移,远离InP膜表面.
- 在220nm光子SOI平台上开发了大型InP膜,通过精心控制生长条件.
- 在设计的InP-on-SOI平台上制造出单体InP纳米盘激光器.
主要成果:
- 成功创建了没有表面线程位移 (TD) 的InP膜.
- 在标准的220nm SOI平台上演示了大尺寸的InP膜.
- 在次波长InP纳米盘激光器中实现了超低值65.8μJ/cm2的单模激光.
结论:
- 开发的方法有效地抑制了SOI上III-V的表面TDs.
- 这种方法可以在220nm SOI上制造高性能InP纳米盘激光器.
- 在光子学中为III-V激光器的无和密集集成铺平了道路.
