活跃截面长度对直接调制的1.3μm InGaAlAs/InP DFB激光器的影响,其中基于MQW的被动DBR截面

科学领域:

• 光电学是指光电子产品.
• 半导体激光器半导体激光器
• 光纤通讯是指光纤通讯的一种方式.

背景情况:

• 分布反 (DFB) 激光器对于光通信系统至关重要.
• 集成的被动分布式布拉格反射器 (DBR) 部分简化了制造.
• 了解当前的自我加热效应对于优化激光性能至关重要.

研究的目的:

• 制造直接调制的1.3μm InGaAlAs/InP DFB激光器,使用基于MQW的被动DBR断面.
• 调查DFB截面长度对设备性能的影响,重点关注自热效应.
• 为了证明高速数据传输能力.

主要方法:

• 制造具有集成MQW DBR截面的InGaAlAs/InP DFB激光器.
• 用150微米和200微米DFB长度的激光器进行比较.
• 光学光谱的表征,侧模式抑制比 (SMSR) 和调制带宽.
• 测试50 Gb/s的NRZ和PAM4数据传输40公里SMF.

主要成果:

• 在DFB和DBR段中具有相同MQW的设备简化了制造.
• 一个200微米的DFB段产生更高的调制带宽 (29 GHz) 与150微米的段相比.
• 较长的DFB部分对由于自热引起的电流诱导波长转移的敏感性较小.
• 成功的50 Gb/sNRZ和PAM4传输在25°C和50°C下达到了40公里.

结论:

• 集成MQW DBR段的DFB激光设计对于简化制造是有效的.
• 较长的DFB段可以提高直接调制带宽和数据传输性能.
• 制造的激光器适用于高速远距离光通信应用.