概括
本研究介绍了一种新的双焦激光切片方法,用于碳化 (SiC) 基板,将切片速度翻一番. 这种技术提高了加工易碎材料的效率和精度.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 激光处理 激光加工
- 半导体制造业 半导体制造业
背景情况:
- 碳化 (SiC) 对于高性能功率电子产品至关重要.
- 高效和低损耗的SiC基板加工仍然是一个重大挑战.
- 传统的激光切片方法在速度和精度方面存在局限性.
研究的目的:
- 引入一项创新的双聚焦,双层激光切片技术,用于SiC.
- 通过球形偏差校正来提高SiC切片的效率和精度.
- 探索高精度激光切割易碎材料的新途径.
主要方法:
- 开发了一种双聚焦,双层激光切片技术,用于SiC.
- 在加权的格尔赫伯格-萨克斯顿 (GSW) 算法中纳入了球形偏差校正.
- 产生可控制的双聚焦束,在SiC中产生双层裂.
主要成果:
- 与传统技术相比,实现了两倍快的切片速度.
- 成功地将10×10×1.4mm3的SiC样品切成三个芯片 (400550微米厚).
- 由此产生的晶圆具有良好的抗拉强度 (1.071.40 MPa) 和低表面粗度 (0.550.9 μm).
结论:
- 双焦激光切片技术显著提高了SiC加工效率.
- 该方法显示了处理其他透明和脆性材料的潜力.
- 这为高精度激光切片应用提供了一种新的方法.


