概括
本研究展示了一种利用外部光学反 (EOF) 实现超窄线宽半导体激光器的方法. 精确的偏振调整减轻了连贯性崩,在高反功率下实现了100Hz以下的线宽.
科学领域:
- 光学和光子学 在光学和光子学.
- 半导体激光技术 半导体激光技术
- 激光光谱学 激光光谱学
背景情况:
- 半导体激光器通常使用外部光学反 (EOF) 来减少线宽.
- 高反功率 (>1%) 通常会导致连贯性崩 (CC),导致混乱的动态和线宽的扩大.
研究的目的:
- 为了减轻受到外部光学反 (EOF) 的半导体激光器中的连贯性崩 (CC).
- 在可调节的半导体激光器中实现超窄的内在线宽 (低于100 Hz).
主要方法:
- 使用U形腔半导体激光器,采用采样格子分布式布拉格反射器 (SG-DBRs) 来实现广泛的可调性 (42nm).
- 通过外部基于光纤的腔体将外部光学反 (EOF) 实现到激光腔的两侧.
- 采用精确的反偏振的动态调整来管理连贯性崩 (CC).
主要成果:
- 在1513-1555nm调范围实现了超过三级的内在线宽减小 (MHz到亚kHz).
- 在高达10%的反功率下展示了100Hz以下的内在线宽,克服了以前的CC限制.
- 保持了广泛的可调性和稳定的激光操作,并优化了EOF.
结论:
- 外部光学反 (EOF) 的精确极化控制有效地抑制了半导体激光器中的连贯性崩 (CC).
- 这种方法可以产生具有高反功率的超窄线宽半导体激光器.
- 开发的技术显著提高了半导体激光的性能,用于需要高光谱纯度的应用.
