埋葬接口的协同调节和通过表面功能化层的2D-3D辅助批量增长,使倒置矿太阳能电池的填充因子达到>85%

Himangshu Baishya1, Ramkrishna Das Adhikari1, Mayur Jagdishbhai Patel2

  • 1Centre for Nanotechnology, Indian Institute of Technology Guwahati, Guwahati, Assam, 781039, India.

概括

使用CPGH和GBAH分子的接口工程显著提高了矿太阳能电池 (PSC) 的性能和稳定性. 这些处理方法使缺陷被动化,并改善电荷提取,从而提高功率转换效率 (PCE).