V2O3

P Rajak1,2,3, S K Chaluvadi1, S Punathum Chalil1,2

  • 1CNR-IOM Istituto Officina dei Materiali, 34149 Trieste, Italy.

PubMed
概括

由于脱位形成,氧化物薄膜在接口附近的结构迅速放松. 了解这一过程是优化氧化物 (V2O3) 装置的关键.