电子显微镜分析Hf诱导的 (Ti,Zr,Hf) NiSn半海斯勒热电的纳米结构变化
Isaak G Vasileiadis1, George P Dimitrakopulos1, Thomas Kehagias1
1Department of Physics, Aristotle University of Thessaloniki, 54124 Thessaloniki, Greece.
Nanomaterials (Basel, Switzerland)
|August 27, 2025
概括
传输电子显微镜揭示了配半热电的原子尺度结构细节. 通过诱导元素变化,提高了热电性能.
科学领域:
- 材料科学
- 固态物理
- 纳米技术
背景情况:
- 半海斯勒 (HH) 合金是有前途的热电材料.
- 优化HH合金需要了解它们的原子尺度结构性质.
研究的目的:
- 调查Sb-doped (Ti,Zr) NiSn和 (Ti,Zr,Hf) NiSn的原子尺度结构特征.
- 将结构特征与热电性能联系起来.
主要方法:
- 使用传输电子显微镜 (TEM) 技术.
- 分析包括形态,相识别,颗粒大小分布和元素变化.
主要成果:
- 这两种材料都表现出微和纳米尺度的HH阶段.
- 观察到两个不同的粒子大小范围 (115 - 223 nm和4 - 17 nm).
- 这导致了显著的元素波动和格子参数变化.
- 在762K时, (Ti,Zr,Hf) NiSn样本的优点为0.76.
结论:
- 对于影响热电性质的结构特征,TEM是有效的.
- 由Hf引起的元素变化是提高HH材料热电性能的关键.
