基于激光的EMI屏蔽层在系统包装 (SiP) 模块中的选择性去除
Xuan-Bach Le1, Won Yong Choi2, Keejun Han3
1Energy & Environment Research Institute, Seoul National University of Science and Technology, Seoul 01811, Republic of Korea.
Micromachines
|August 28, 2025
概括
一种新的基于激光的方法可以选择性地去除无物理罩的半导体包中的电磁干扰 (EMI) 屏蔽层. 这种非接触式技术为先进的包装系统 (SiP) 技术提供了快速而无损的解决方案.
科学领域:
- 材料科学
- 电气工程
- 制造技术
背景情况:
- 系统包装 (SiP) 技术的复杂性增加推动了对选择性电磁干扰 (EMI) 屏蔽的需求.
- 对于EMI屏蔽的传统喷缺乏选择性,需要额外的掩盖或后处理.
研究的目的:
- 提出和验证一种基于激光的新方法来选择性地去除EMI屏蔽层.
- 研究激光照射对多层屏蔽结构的热力和机械效应.
主要方法:
- 在全区域和激光扫描辐射下对热和机械行为的数值模拟.
- 使用纳米秒脉冲光纤激光器进行选择性层去除的实验验证.
- 优化激光功率和扫描速度以实现有效的分层,而不会损坏基板.
主要成果:
- 激光扫描诱导的界面剪切应力 (38.6 MPa) 比全面辐射 (12.5 MPa) 高,促进了分层.
- 优化的激光功率 (~6 W) 和扫描速度 (50 mm/s) 实现了完全的屏蔽去除,而不会损坏环氧模具化合物 (EMC).
- 过度的激光功率 (8W) 导致材料降解,强调了参数优化的重要性.
结论:
- 一种非接触式,无损坏的,选择性的基于激光的EMI屏蔽去除方法是可行的.
- 这种技术为需要精确的EMI控制的下一代半导体包装提供了有前途的解决方案.
- 这项研究证明了有效的材料处理和最小的辐射时间 (0.14秒).
