使用光学格子照明快速准确测量高比例MEMS沟阵列
Xiangjie Li, Xinqi Sui1, Dengfeng Kuang2
1Institute of Modern Optics, Nankai University, Tianjin Key Laboratory of Micro-scale Optical Information Science and Technology, Tianjin, China.
Microsystems & nanoengineering
|August 28, 2025
概括
这项研究引入了一种使用格子光场测量高面积比 (HAR) 微沟结构的新方法. 这项技术精确地确定了沟尺寸,对于微型制造的可靠性至关重要.
科学领域:
- 微电机系统 (MEMS)
- 精准计量学
- 光学工程
背景情况:
- 对于微型传感器和执行器来说,高面积比 (HAR) 微沟阵列至关重要.
- 准确测量HAR结构对于确保设备可靠性和制造过程稳定性至关重要.
研究的目的:
- 介绍一种用于准确测量HAR微沟结构的新方法.
- 为了准确监控先进精密设备的微型制造工艺.
主要方法:
- 结合了晶格光场生成 (使用微轴子阵列) 和显微镜成像.
- 使用单色成像和边缘提取进行宽度测量.
- 通过几何映射使用光点位移在格子光场进行深度测量.
主要成果:
- 成功测量了HAR微沟,面积比为58.12.
- 建立了光点移位与沟深度之间的直接关系.
- 与扫描电子显微镜 (SEM) 值相比,测量误差小于9%.
结论:
- 拟议的格子光场方法提供了HAR微沟的准确和有效测量.
- 这种技术是防务,航空航天和能源领域微型制造质量控制的宝贵工具.
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