在操作半导体TEM-Lamellae中研究FIB制剂诱导的表面影响
Hüseyin Çelik1, Robert Fuchs1, Ines Häusler2
1Institute of Physics and Astronomy, Technische Universität Berlin, Straße des 17. Juni 135, Berlin, BE, 10623, GERMANY.
概括
本研究介绍了一种新的多层模型,用于精确模拟电子全息 (EH) 和传输电子显微镜 (TEM) 的半导体纳米器件中的3D静电电位. 该模型解释了聚焦离子束 (FIB) 文物,改善了潜在的重建.
科学领域:
- 材料科学
- 凝聚物质物理学
- 纳米技术
背景情况:
- 半导体纳米设备需要先进的特征来进行内部静电电位分析.
- 在传输电子显微镜 (TEM) 中,离轴电子全息 (EH) 是至关重要的,但受到聚焦离子束 (FIB) 制备器件的影响.
- 由FIB引起的表面无形化,电荷捕获和散射场扭曲了静电电位测量.
研究的目的:
- 开发一个高效的计算框架,用于在FIB准备的TEM片中建模3D静电电位.
- 准确地考虑FIB诱导的表面工件和影响潜在测量的迷路场.
- 通过实验数据可靠地重建静电电位.
主要方法:
- 引入一个扩展的多层框架,包括核心,内部流失场,表面和外部流失场层.
- 用最小化的计算复杂度对3D静电电位分布进行建模.
- 使用电子全息断层扫描和常规EH对p-n连接进行验证.
主要成果:
- 多层模型准确地捕捉了FIB诱导的静电电位的调制.
- 模型预测与实验EH和全息断层扫描数据之间有很好的一致性.
- 该模型成功地在不同的样品厚度上复制了扩展的相形状.
结论:
- 开发的框架可以从单个投射相图像中高效准确地重建3D静电电位.
- 它有助于快速评估FIB制备的半导体纳米结构中的制备诱导的工件.
- 为优化纳米结构特征的FIB准备工作流提供了一个实用工具.
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