高级高级光刻涂层校正方法,以提高集成电路的制造性能
Dinghai Rui1,2,3, Libin Zhang1,2,3, Yayi Wei1,2,3
1EDA Center, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences Beijing 100029 China zhanglibin@ime.ac.cn weiyayi@ime.ac.cn.
Nanoscale advances
|September 8, 2025
概括
一个新的高阶叠加校正模型使用第五阶多项式和先进的执行器,以显著减少集成电路制造中的叠加错误,提高精度和可靠性.
科学领域:
- 半导体制造业 半导体制造业
- 石版技术 石版技术 石版技术
- 计量学和控制系统
背景情况:
- 先进的集成电路 (IC) 制造面临着分散限制的分辨率,复杂性和成本的挑战.
- 叠加错误对IC制造质量产生重大影响,特别是在较小的技术节点.
- 现有的覆盖校正方法在高阶错误组件方面存在困难.
研究的目的:
- 提出和验证一个新的高级覆盖校正模型,用于先进的光刻.
- 准确地描述和补偿复杂的叠加错误分布.
- 提高IC制造工艺的精度和可靠性.
主要方法:
- 开发了一个使用二维第五阶多项式的高阶叠加校正模型.
- 在模型验证中使用有限元模拟.
- 集成的压电驱动器,热变形控制和微机械紧用于精确的错误补偿.
主要成果:
- 模拟结果显示,覆盖层减少到低于1纳米 (dakdakdakdak + 3σ).
- 在第一和第二级错误中实现了近100%的校正,在第三和第四级错误中达到80%以上,在第五级错误中达到68.16%.
- 实践测试减少了晶圆重叠到4.22nm (x方向) 和6.26nm (y方向).
结论:
- 拟议的模型为高阶重叠补偿提供了一种高效可靠的解决方案.
- 经过证明的高补偿效率 (平均每月) 96.85%的X方向,97.36%的Y方向).
- 通过精确的覆盖控制,显著提高了IC制造性能和可靠性.
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