相关实验视频
Updated: Jan 17, 2026

06:53
Photoelectron Imaging of Anions Illustrated by 310 Nm Detachment of F−
Published on: July 27, 2018
9.1K
概括
本研究介绍了一种新的雪崩光二极管 (APD) 设计,使用部分耗尽的吸收器和翻转芯片粘合. 增强的APD实现了22GHz的带宽和40Gbps的数据速率,大大提高了光通信性能.
科学领域:
- 光电学是指光电子产品.
- 半导体设备 半导体设备
- 光子学是指光子学的使用方法.
背景情况:
- 数字合金 (DA) InAlAs以前用于单独的吸收,分级,充电和乘数 (SAGCM) 雪崩光二极管 (APD) 来减少噪音.
- 高速光通信需要在带宽和量子效率方面提高雪崩光二极管 (APD) 的性能.
研究的目的:
- 为了提高SAGCMAPD的带宽和量子效率.
- 提高APD的响应速度,以实现高速数据传输.
主要方法:
- 整合一个部分耗尽的吸收器 (PDA) 来增加带宽.
- 使用具有翻转芯片结合的背光结构,以提高量子效率和感应峰值.
- 暗电流密度的表征,乘法增益,响应能力和频率响应.
主要成果:
- 在90%的故障电压下,APD实现了8.5mA/cm2的暗电流密度.
- 在雪崩崩之前观察到50的乘法增益,反应率为0.49A/W.
- 翻转芯片结合将带宽从15.6GHz增加到22GHz,使眼图能够达到40Gbps.
结论:
- 开发的APD与PDA和翻转芯片结合显示了显著改善的高速性能.
- 这种设计适用于需要高带宽和数据速率的下一代光通信系统.

