MOS Capacitor
Metal-Semiconductor Junctions
MOSFET: Depletion Mode
MOSFET: Enhancement Mode
Non-ohmic Devices
Semiconductors
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Wenhao Wang1,2, Zhonglei Shen1,2, Yi Ji Tan1,2
1Division of Physics and Applied Physics, School of Physical and Mathematical Sciences, Nanyang Technological University, Singapore, Singapore.
研究人员开发了一种新的拓边缘状态腔,用于增强光子设备中的光限制. 这种强大的芯片平台显著提高了先进光学应用的质量因素和自由光谱范围.
科学领域:
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研究的目的:
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主要成果:
结论: