纯的Ge纳米结构的辅助浸泡用于米共振全介电光子学

科学领域:

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• 纳米技术 纳米技术
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背景情况:

• 半导体薄膜表现出潮湿的不稳定性,使得自我组织的纳米结构.
• 在像 (Ge) 这样的高指数材料中,露水的光学潜力仍然在很大程度上未被探索.
• 介电纳米结构对于先进的光子应用至关重要.

研究的目的:

• 为了研究纯 (Ge) 薄膜在SiO2基板上的露水.
• 探索基于Ge的介电纳米振荡器与可见光谱Mie共振的形成.
• 通过电子束 lithography 证明通过形状工程纳米结构对 dewetting 的决定性控制.

主要方法:

• 在SiO2基板上的纯GE薄膜的固态水.
• 电子光束光刻技术将在GE电影中引入几何约束.
• 纳米结构形态和光学性能的理论和实验分析.

主要成果:

• 在可见光谱中形成具有强烈Mie共振的介电纳米振解器.
• 实现了对露水的决定性控制,产生了统一的,形状工程纳米岛,面积比较高.
• 通过通过露水参数控制纳米共振器大小来证明Mie共振光谱位置的调整.

结论:

• 在Ge中辅助露水为纳米光子应用提供了一个可扩展和多功能平台.
• Dewetted Ge 纳米结构是全介电光管理的一个有前途的平台.
• 这种自下而上的方法使得基于Ge的光学纳米复原器能够在晶圆尺度上制造.