概括
本研究引入了一个分析模型,将极端紫外线光刻 (EUVL) 偏差与关键维度 (CD) 变化联系起来. 该模型有助于预测由于光刻工艺变化的设备性能变化.
科学领域:
- 半导体制造业 半导体制造业
- 光学石版印刷是一种光学石版印刷.
- 设备物理 设备物理
背景情况:
- 石版画质量对于微纳米设备的可靠性和电路功能至关重要.
- 门全方位 (GAA) 设备的制造依赖于先进的极紫外线光刻 (EUVL).
- EUVL系统的异常严重影响 lithography 的结果和设备的性能.
研究的目的:
- 开发一种分析偏差模型,以基于石版的结果来估计设备的可靠性.
- 为了直观地想象EUVL偏差和临界维度 (CD) 变化之间的关系.
- 为了估计设备性能和电路功能的变化受到 lithography 偏差的影响.
主要方法:
- 提出了一个分析偏差模型,其中包含了波桑分布函数和校正因子.
- 使用曲线拟合来确定偏差大小和校正因子之间的功能关系.
- 整合了结果,以建立一个将偏差大小与CD变异分布联系起来的模型.
主要成果:
- 建立了一个分析模型,以可视化各种偏差下的石版画结果.
- 量化了异常对CD变异分布的影响.
- 证明将RMS偏差从50mλ减少到40mλ可以使GAA设备和电流变化降低30.9%.
结论:
- 开发的模型允许清晰可视化 lithography 结果,并估计设备性能变化.
- 设计人员可以使用这个模型在设计阶段的早期了解工艺能力.
- 基于该模型的优化设计可以防止石版工艺造成的过度性能损失.
