概括
这项研究引入了基于边缘的逆光刻画光学近距离校正,用于近距离刻画. 这种方法通过数值计算面罩布局梯度和使用边缘细分来提高曝光模式的真实性.
科学领域:
- 微型/纳米制造的制造.
- 光学石版印刷是一种光学石版印刷.
- 计算式 lithography 的使用方法.
背景情况:
- 近场光刻实现超高分辨率超出光学衍射极限使用 evanescent 波.
- 基于传统的逆光刻技术的光学近距离校正与近距离刻画不兼容,阻碍了图案的真实性.
- 现有的方法在近场光刻中努力提高曝光模式的准确性.
研究的目的:
- 开发一种基于边缘的反光刻画光学近距离校正 (OPC) 方法,专门用于近距离刻画.
- 为了提高近场微/纳米制造中的曝光模式的保真度.
- 为了解决将传统OPC技术应用于近场光刻的局限性.
主要方法:
- 介绍了用于数值计算面罩布局边缘梯度的辅助方法.
- 应用梯度下降算法与边缘细分相结合.
- 基于边缘的反光刻法OPC方法的开发,适用于近场刻法.
主要成果:
- 模拟结果表明,有效地抑制了暴露模式偏差.
- 拟议的方法减轻了光学近距离效应的影响.
- 面具布局边缘的细分会提高曝光模式的真实性.
结论:
- 开发的基于边缘的反光刻法OPC方法显著提高了近场刻法中的曝光模式保真度.
- 该方法有效地克服了传统OPC技术与近场光刻的不兼容性.
- 这种方法对先进的近场微/纳米制造应用具有前景.
