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Updated: Jan 16, 2026

06:42
Generation and Coherent Control of Pulsed Quantum Frequency Combs
Published on: June 8, 2018
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一个宽带D频频段的高波排斥链在100nm GaAs pHEMT技术
Pinqing Wang1, Zhe Chen1, Yubin Guo1
1State Key Laboratory of Millimeter Waves, School of Information Science and Engineering, Southeast University, Nanjing 210096, China.
Micromachines
|September 27, 2025
概括
这项研究引入了一种使用GaAs pHEMT过程的宽带D频段频率六倍器. 这种新的设计实现了高输出功率和宽带宽,非常适合D频段信号生成.
科学领域:
- 电气工程 电气工程
- 微波工程 微波工程
- 半导体设备物理 半导体设备物理
背景情况:
- D频段 (110-170 GHz) 频率对于高带宽通信至关重要.
- 有效的频率乘法对于生成这些频段的信号至关重要.
- 现有的解决方案往往缺乏宽带宽或足够的和声抑制.
研究的目的:
- 为了呈现一个宽带D频段频率的六合链.
- 为了实现高输出功率和广泛的操作带宽.
- 为了确保优秀的抑制不需要的和声.
主要方法:
- 在100nm化 (GaAs) 伪形高电子移动性晶体管 (pHEMT) 工艺中的实现.
- 使用平衡频率三倍器和单平衡频率双倍器.
- 包含一个间阶段波排斥功率放大器.
主要成果:
- 实现了2.33dBm的峰值输出功率,转换增益为0.33dB.
- 证明了从126.3到152.7 GHz的3dB输出带宽 (18.9%的相对带宽).
- 压抑的第五和第七波超过20dBc.
结论:
- 开发的频率六倍链为D频段信号生成提供了强大的解决方案.
- 该设计的宽带宽和波抑制适合各种应用.
- 该GaAs pHEMT过程使得高性能毫米波电路实现.

