用Mg-Al合金准的Mg-Doped P型AlN薄膜,通过使用Mg-Al合金准的磁铁喷射制备
Yulin Ma1, Xu Wang1, Kui Ma1,2,3
1Department of Electronic Science, Guizhou University, Guiyang 550025, China.
Micromachines
|September 27, 2025
概括
研究人员使用兴奋剂和化实现了p型化 (AlN) 薄膜. 最佳结果是在0.02%Mg时发现的,平衡了潜在的双极装置的导电性和移动性.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 半导体物理 半导体物理
背景情况:
- 化 (AlN) 是一个关键的III-V宽带间隙半导体,用于苛刻的应用.
- 在AlN中实现稳定的p型导电性是一个重要的材料科学挑战.
研究的目的:
- 使用不同 (Mg) 兴奋剂度制造和表征p型AlN薄膜.
- 为了研究胺和化对AlN薄膜的结构,形态和电气性能的影响.
主要方法:
- 使用Mg-Al合金对象进行磁铁喷射,以沉积AlN薄膜.
- 现场高温回火促进Mg扩散和激活.
- 使用XRD,WLI,SEM,EDS,XPS和霍尔效应测量的表征.
主要成果:
- 在0.02%的Mg兴奋剂下达到最佳的p型导电性,表现出良好的晶度和Mg分布.
- 增加的Mg兴奋剂 (0.5at.%) 增加了载体度,但由于散射而减少了移动性.
- 结构变化,包括增加粗性和改变谷物形态,在较高的Mg度下观察到.
结论:
- 控制的Mg注和化可以产生p型AlN薄膜,但移动性和激活方面的挑战仍然存在.
- 研究结果为开发基于AlN的双极器件提供了洞察力,优化了对所需属性的兴奋剂水平.
