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Updated: Jan 16, 2026

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Atomically Traceable Nanostructure Fabrication
Published on: July 17, 2015
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大面积纳米结构的制造与75纳米半球使用深紫外线平顶激光干扰光刻法
Kexin Jiang1, Mingliang Xie1, Zhe Tang2
1School of Optoelectronic Science and Engineering, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China.
Sensors (Basel, Switzerland)
|September 27, 2025
概括
我们开发了一种具有成本效益的深紫外线激光干扰光刻系统,用于大面积纳米图案. 这种方法使得用于先进的光子和传感器件的周期纳米结构的高通量制造成为可能.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 纳米技术 纳米技术
- 光学是什么?光学是什么?
背景情况:
- 实现具有高分辨率的大面积周期纳米结构对于先进设备至关重要.
- 传统的近紫外激光干扰光刻法 (LIL) 面临着对100nm以下特征的均性和曝光度的限制.
- 生产这种纳米结构的成本效益高的实验室系统非常受欢迎.
研究的目的:
- 开发一个具有成本效益的深紫外 (DUV) 双束LIL系统,用于大面积纳米图案.
- 为了在实验室尺度上能够制造具有75nm半度的周期纳米结构.
- 为了证明系统在为化学传感应用创造基板的能力.
主要方法:
- 使用266nm深紫外线 (DUV) 激光源进行双光束激光干扰光刻 (LIL).
- 实施了衍射式平顶光束成型,以确保在大面积上均照明.
- 采用撞击角度和光束均性的独立调整,以精确控制纳米结构尺寸.
主要成果:
- 成功地在1.0厘米直径的场中模拟了一维 (1D) 格子和二维 (2D) 阵列,其周期为150纳米 (75纳米半距离).
- 实现了低于5nm (1σ) 的临界尺寸变化,边缘光滑,侧墙近垂直.
- 作为表面增强拉曼光谱 (SERS) 基板的制造纳米点阵列,平均增强因子为~1.12 × 10^4和低强度变化 (11% RSD).
结论:
- 拟议的平顶DUV-LIL方法为大面积纳米图纸化提供了高通量和高成本效益的替代电子束 lithography.
- 该系统通过克服传统SERS基板的局限性,实现可靠的大面积化学传感.
- 这种多功能方法适用于制造厘米尺度的光子元表面和传感器件,具有晶圆尺度集成的潜力.
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