在CaS纳米晶体中进行Lanthanide介导的浅至深陷工程,用于多刺激动态防伪
Huilin Liu1, Xiangran Kong1, Jun Zeng1
1MIIT Key Laboratory of Critical Materials Technology for New Energy Conversion and Storage, School of Chemistry and Chemical Engineering, Harbin Institute of Technology, Harbin 150001, China.
Inorganic chemistry
|October 1, 2025
概括
研究人员设计了持久发光材料,用于先进的防伪. 通过控制硫化纳米晶体的缺陷深度,他们实现了可调节的光学响应,用于动态安全应用.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 纳米技术 纳米技术
- 固态物理 固态物理
背景情况:
- 持久发光 (PersL) 材料提供了通过可调节的陷深度来防伪的潜力.
- 当前的材料设计与缺陷深度的可编程梯度工程作斗争.
研究的目的:
- 研究CaS系统中的陷深度演变.
- 实现梯度控制的陷深度调制,用于先进的防伪.
主要方法:
- 硫化纳米晶体中的兰化离子配策略.
- 热发光分析 (TL) 和密度函数理论 (DFT) 的计算.
- 开发一个具有选择性兴奋剂的核心外架构.
主要成果:
- 通过使用Sm3+介导的缺陷工程,实现了由梯度控制的陷深度调节,从0.644到1.090 eV.
- 内在的硫空隙充当浅浅的陷,使持续发光率> 600秒成为可能.
- 证明了显著的光刺激发光 (PSL) 性能与深陷状态和Er3+介导的绿色上转换发光 (UCL).
结论:
- 开发了一个可编程刺激响应发光材料的范式.
- 显著先进的动态防伪技术,具有按需光学响应能力.
- Sm3+兴奋剂和硫空缺之间的协同相互作用调节陷深度和重组缺陷状态.
