在零指数空洞中嵌入高Q,尺寸独立和可重新配置的光学天线
Prasad P Iyer1,2, Mihir Pendharkar1,3, Anchal Agarwal1,4
1Electrical and Computer Engineering Department, University of California, Santa Barbara, California 93106, United States.
ACS nano
|October 8, 2025
概括
我们将Mie共振器嵌入epsilon-near-zero (ENZ) 材料中,以促进光物质相互作用. 这种方法提高了纳米光子设备的质量因素和光学重新配置性.
科学领域:
- 纳米光子学 纳米光子学
- 在Metasurfaces上使用.
- 塑制剂是一种塑制剂.
背景情况:
- 增强光物质相互作用是纳米光子学中的关键.
- 接近零的埃普西隆 (ENZ) 材料具有潜力,但面临着制造方面的挑战.
- 由于材料的局限性,米共振具有较低的质量因子 (Q-因子).
研究的目的:
- 为了克服传统纳米光子方法的局限性.
- 为了增强Mie共振器的Q因子和光学重新配置性.
- 探索用于先进光学设备的新型共振器-ENZ配置.
主要方法:
- 在ENZ介质中嵌入Mie共振器.
- 使用新的表回生长技术.
- 研究了三种配置:AlN中的空隙,SiO2中的Ge,合剂的Insb中的Insb.
主要成果:
- 与非嵌入式共振器相比,实现了显著的Q因子改进.
- 在AlN中演示了一种基于空气的Mie共振器,其Q因子>100和可忽略的分散.
- 通过ENZ波长的热调节,展示了InSb共振器的动态重新配置.
结论:
- 在ENZ介质中嵌入Mie共振器可以增强Q因子和重新配置性.
- 这种方法减轻了制造挑战和几何分散.
- 启用高保真传感器,热发射器和可重新配置的元表面.
