提高纳米结构 (Ga₁₀Se₉₀) -MWCNT双层薄膜的电气性能

科学领域:

• 材料科学 材料科学 材料科学
• 纳米技术 纳米技术
• 固态物理 固态物理

背景情况:

• 基于的化半导体对于光电子非常重要.
• 化 (GaSe) 和多壁碳纳米管 (MWCNTs) 提供了有前途的性能.
• 纳米复合材料需要优化材料集成和性能的方法.

研究的目的:

• 为了研究快速重离子 (SHI) 辐射对GaSe-MWCNT纳米复合材料薄膜的影响.
• 提高这些材料的电气和光电子性能.
• 探索SHI辐射在调整纳米复合材料特性方面的潜力.

主要方法:

• 通过热蒸发制造GaSe-MWCNT纳米复合材料薄膜.
• 修改使用70 MeV Ni7+ SHI辐射在不同的波动.
• 使用场发射扫描电子显微镜 (FESEM),能量分散式X射线光谱 (EDX) 和里埃转换红外光谱 (FTIR) 进行表征.

主要成果:

• SHI辐射导致MWCNTs在GaSe矩阵内均混合.
• 电流电导率增加了一个数量级以上 (2.11 × 10−4 到 2.97 × 10−3 Ω−1 cm−1).
• 光导和载体流动性出现了显著的增强,分别达到2.90 × 10−3 Ω−1 cm−1和475.1 cm2 V−1 s−1.

结论:

• SHI辐射有效地设计缺陷,并改善GaSe-MWCNT复合材料中的界面电荷传输.
• 通过CNT网络和SHI诱导状态的增强电荷传输有助于改善电气性能.
• GaSe-MWCNT复合材料通过SHI显示可调节性质,显示了先进光电子设备的潜力.