氧化动力学和表面化学 和氧化膜的氧化动力学和表面化学 和氧化膜的氧化动力学和表面化学 和氧化膜的氧化动力学和表面化学 和氧化膜的氧化动力学和表面化学 和氧化膜的氧化动力学和表面化学 和氧化膜的氧化动力学 氧化动力学和表面化学
Ji Won Han1, Jae Woo Jang1, Ryosuke Harada2
1Department of Materials Science and Chemical Engineering, Hanyang University, Ansan, 15588, Republic of Korea.
Small (Weinheim an der Bergstrasse, Germany)
|October 14, 2025
概括
使用氧 (O2) 和臭氧 (O3) 优化了 (Ir) 和二氧化 (IrO2) 膜的原子层沉积. 像O3这样具有较高氧化潜力的反应物可以提高薄膜质量和导电性,而O3暴露会影响氧化状态和沉积率.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 纳米技术纳米技术
- 表面化学 表面化学
背景情况:
- 原子层沉积 (ALD) 允许精确的薄膜制造.
- 控制沉积膜的氧化状态和特性对于先进的应用至关重要.
研究的目的:
- 研究氧 (O2) 和臭氧 (O3) 反应物的影响,对 (Ir) 和二氧化 (IrO2) 膜的原子层沉积.
- 了解反应物的氧化潜力和暴露条件如何影响薄膜核形成,生长和特性.
主要方法:
- 原子层沉积 (ALD) 使用O2和O3作为反应剂.
- 反应剂暴露条件的系统变化.
- 膜性质的表征包括核密度,连续性,结晶性,电阻性和表面化学.
主要成果:
- 更高的氧化潜力反应物 (O3) 促进更高的核密度和更好的连续性/晶性,导致较低的电阻.
- 基于O2的工艺产生Ir金属薄膜,而O3工艺可以在长时间暴露时产生IrO2.
- 增加的O3暴露导致较高纯度的IrO2膜,电阻性降低.
- 表面基 (OH) 组的形成随着O3暴露而增加,抑制了前体吸附和沉积速度.
结论:
- 提出了一个模型来解释基于反应物的氧化潜力和暴露时间的Ir和IrO2膜的生长行为.
- ALD过程参数,特别是氧化剂和暴露条件的选择,可以调整以控制基于Ir的薄膜的组成和特性.
