在CMP中控制低的过程温度控制
Yeongil Shin1, Jongmin Jeong1, Jiho Shin1
1Graduated School of Mechanical Engineering, Pusan National University, Busan 46703, Republic of Korea.
Materials (Basel, Switzerland)
|October 16, 2025
概括
过程温度对于在化学机械平面化 (CMP) 过程中控制铜接至关重要. 优化温度可以最大限度地降低排放,确保精确控制高性能半导体中的混合粘合.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 半导体制造业 半导体制造业
- 化学工程是化学工程的重要组成部分.
背景情况:
- 高性能半导体需要混合粘合,需要精确的铜控制.
- 化学机械平面化 (CMP) 对于实现这种控制至关重要.
- 现有的修改泥或机械的方法已被证明不足以实现最佳的排水控制.
研究的目的:
- 调查工艺温度对CMP性能的影响.
- 证明温度在整合CMP的化学和机械方面的作用.
- 开发一种在CMP中精确控制温度的方法.
主要方法:
- 评估Cu,Ta和SiO2薄膜的去除速度,使用毯子晶圆实验.
- 分析了膜去除率作为温度和激活能量的函数 (Arrhenius类型的行为).
- 开发了一种基于状管的板冷却系统,用于精确调节温度.
主要成果:
- 薄膜去除率表现出与温度的阿雷尼乌斯类型行为.
- 30°C的工艺温度平衡了选择性,并最大限度地降低了在有图案的晶圆上摆放的时间.
- 温度控制减少了分别从12-16nm到4nm和1nm以下的100微米和50微米图案的化.
结论:
- 工艺温度是CMP的一个关键,但经常被忽视的参数.
- 精确的温度控制对于管理选择性和最大限度地减少铜是必不可少的.
- 通过一种新的冷却系统进行了优化温度控制,满足了混合结合的要求.


