MOS Capacitor
MOSFET: Enhancement Mode
Understanding Memory
MOSFET
Characteristics of MOSFET
Field Effect Transistor
您也可能阅读
通过共同作者、期刊和引用图与本文相关的文章。
Updated: Jan 14, 2026

Gradient Echo Quantum Memory in Warm Atomic Vapor
Published on: November 11, 2013
Yanrong Wang1, Yuchen Cai2,3, Feng Wang4,5
1Institute of Semiconductor, Henan Academy of Sciences, Zhengzhou, P. R. China.
我们开发了11位二维 (2D) MoS2浮动门记忆 (FGM) 用于神经形态计算. 这些设备提供高状态容量和低噪声,推进高效的以数据为中心的应用.
科学领域:
背景情况:
研究的目的:
主要方法:
主要成果:
结论: